一种Gd掺杂CeO₂过渡层薄膜及其制备方法

摘要

一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。

主权项

一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制备前驱液：将醋酸铈和醋酸钆，按铈离子与钆离子的摩尔比为1‑x∶x，其中，0.1≤x≤0.5，铈离子与钆离子的总浓度为0.1～1.0mol/L，溶解到正丙酸中，得到前驱液；2)涂敷前驱液：将步骤1)制备的前驱液采用旋涂或者浸涂的方式涂敷到金属基带上，得到前驱膜；3)高温烧结：在通保护气体的条件下，将前驱膜于950～1200℃烧结15～120分钟，得到厚度为30～70nm的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜；4)重复步骤2)中的涂敷前驱液和步骤3)中的高温烧结操作0～4次，得到厚度为30～250nm的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。