| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置的制造方法，能使湿法蚀刻后的绝缘膜的锥角较大且确保直线的锥形状，并能抑制锥角在半导体基板面内波动的，该方法包括：在形成于半导体基板(10、11、12)上的绝缘膜(20、23、26)上涂敷光致抗蚀剂，并形成光致抗蚀图案(90、91、92)的光致抗蚀图案形成工序；通过湿法蚀刻除去绝缘膜的不需要部分地加工所述绝缘膜的湿法蚀刻工序；和在所述光致抗蚀图案形成工序之前和/或之后向所述绝缘膜进行离子注入的离子注入工序，其中，所述离子注入工序这样进行：根据所述光致抗蚀图案的有无，使通过所述离子注入而形成于所述绝缘膜(20、23、26)的损伤区域(21、22、24、25、27、28)的深度变化。 | ||
| 申请公布号 | CN102243998A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN201110129669.7 | 申请日期 | 2011.05.13 |
| 申请人 | 三美电机株式会社 | 发明人 | 田村圭;三好浩司 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 曾贤伟;范胜杰 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其包括以下工序：光致抗蚀图案形成工序，在形成于半导体基板上的绝缘膜上涂敷光致抗蚀剂，并形成光致抗蚀图案；湿法蚀刻工序，通过湿法蚀刻除去所述绝缘膜的不需要部分地加工所述绝缘膜；以及离子注入工序，在所述光致抗蚀图案形成工序之前和/或之后，向所述绝缘膜进行离子注入，所述半导体装置的制造方法的特征在于，所述离子注入工序这样进行：根据所述光致抗蚀图案的有无，使通过所述离子注入而形成于所述绝缘膜的损伤区域的深度变化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||