发明名称 显示器件及其制造方法
摘要 本发明的名称是“显示器件及其制造方法”。本发明的课题是借助于用显示器件进行制造而提供一种功耗小而寿命长的电器。绝缘堤坝103被提供成环绕衬底上第一电极102a上的象素部分110a的形式。利用湿法方法,用有机导电膜104涂敷整个表面。在绝缘堤坝103的影响下,有机导电膜104具有T2>T1>T3的厚度形式。因此,T3部位沿横向具有提高了的电阻,使得有可能防止串扰。由于作为缓冲层104的导电聚合物,故能够提供驱动电压低的显示器件。而且,由于T2部分厚度增大,故像素部分处及其周围的电场强度被减弱。这使得有可能防止像素周围的有机发光元件退化。
申请公布号 CN101630690B 申请公布日期 2011.11.16
申请号 CN200910150563.8 申请日期 2003.01.24
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 濑尾哲史;山崎舜平
分类号 H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 朱海煜;李家麟
主权项 一种具有排列成矩阵形式的多个像素的显示器件,它包括:衬底;在所述衬底上方的第一电极;环绕所述第一电极并且凸出在所述第一电极的表面上方的至少第一绝缘堤坝和第二绝缘堤坝;有机导电膜,包含低分子有机半导体和受主,其中,所述有机导电膜在第一电极上方且在第一绝缘堤坝和第二绝缘堤坝的至少顶部表面上形成;在所述有机导电膜的上方且在第一绝缘堤坝和第二绝缘堤坝之间形成的包含能够引起电致发光的有机化合物的有机薄膜;以及在所述有机薄膜上方形成的第二电极,其中第一绝缘堤坝和第二绝缘堤坝的顶部表面不被包含能够引起电致发光的有机化合物的有机薄膜覆盖,其中形成在第一绝缘堤坝的顶边附近的所述有机导电膜具有第一厚度,并且在第一绝缘堤坝和第二绝缘堤坝之间的第一电极的中心附近形成的所述有机导电膜具有第二厚度,并且其中第二厚度大于第一厚度。
地址 日本神奈川县厚木市