| 发明名称 | 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 | ||
| 摘要 | 一种利用自组装薄膜作为掩膜刻蚀导电薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一蓝宝石衬底，在该蓝宝石衬底上生长氮化物外延层；步骤2：在氮化物外延层上生长导电薄膜；步骤3：在导电薄膜上采用自组装的方法生长一层光子晶体薄膜，形成掩膜；步骤4：进行退火处理；步骤5：采用刻蚀的方法对掩膜下的导电薄膜进行刻蚀，形成粗化的导电薄膜表面；步骤6：清洗去掉剩余的光子晶体薄膜，完成制备。 | ||
| 申请公布号 | CN102244159A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN201110177081.9 | 申请日期 | 2011.06.28 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郑怀文;张逸韵;吴奎;杨华;李璟 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种利用自组装薄膜作为掩膜刻蚀导电薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一蓝宝石衬底，在该蓝宝石衬底上生长氮化物外延层；步骤2：在氮化物外延层上生长导电薄膜；步骤3：在导电薄膜上采用自组装的方法生长一层光子晶体薄膜，形成掩膜；步骤4：进行退火处理；步骤5：采用刻蚀的方法对掩膜下的导电薄膜进行刻蚀，形成粗化的导电薄膜表面；步骤6：清洗去掉剩余的光子晶体薄膜，完成制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||