发明名称 |
一种开关电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种开关电路,它包括一PMOSFET和一NMOSFET,其中,所述PMOSFET的栅极通过一第一电阻分别连接到其源极和一电压输入端,且通过第二电阻连接到所述NMOSFET的漏极,所述PMOSFET的漏极与一电压输出端相连接;所述NMOSFET的栅极通过一第三电阻连接到一负载节点,同时通过一第四电阻与其源极相连接且接地。采用本实用新型结构的开关电路具有结构简单,便于操作等优点,它能够最大限度地控制静态电流,安全节能。 |
申请公布号 |
CN202043093U |
申请公布日期 |
2011.11.16 |
申请号 |
CN201120098617.3 |
申请日期 |
2011.04.07 |
申请人 |
上海达华测绘有限公司 |
发明人 |
王培胜;缪袁泉;焦永强;戚张富 |
分类号 |
H03K19/0944(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/0944(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种开关电路,它包括一PMOSFET和一NMOSFET,其特征在于:所述PMOSFET的栅极通过一第一电阻分别连接到其源极和一电压输入端,且通过第二电阻连接到所述NMOSFET的漏极,所述PMOSFET的漏极与一电压输出端相连接;所述NMOSFET的栅极通过一第三电阻连接到一负载节点,同时通过一第四电阻与其源极相连接且接地。 |
地址 |
201208 上海市浦东新区浦东大道2501号6楼 |