发明名称 电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法
摘要 本发明提供一种粗大第二相粒子的生成得到抑制的Cu-Ni-Si-Co系合金。在Cu-Ni-Si-Co系合金的制造步骤中,(1)热轧是在950℃~1050℃下加热1小时以上后进行,使热轧结束时的温度在850℃以上,以15℃/s以上的冷却速度进行冷却,且(2)固溶处理在850℃~1050℃下进行,然后以15℃/s以上的冷却速度进行冷却。根据本发明,可提供一种电子材料用铜合金,其含有Ni:1.0~2.5质量%、Co:0.5~2.5质量%、Si:0.30~1.20质量%,剩余部分包含Cu及不可避免的杂质,其中,不存在粒径超过10μm的第二相粒子,在平行于压延方向的剖面上,粒径为5μm~10μm的第二相粒子为50个/mm2以下。
申请公布号 CN101646791B 申请公布日期 2011.11.16
申请号 CN200880010175.3 申请日期 2008.03.28
申请人 JX日矿日石金属株式会社 发明人 桑垣宽
分类号 C22C9/06(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I;C22C9/05(2006.01)I;C22C9/10(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B5/02(2006.01)I 主分类号 C22C9/06(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 熊玉兰;李炳爱
主权项 一种电子材料用铜合金,其含有Ni:1.0~2.5质量%、Co:0.5~2.5质量%、Si:0.30~1.20质量%,剩余部分包含Cu及不可避免的杂质,其中,不存在粒径超过10μm的第二相粒子,且在平行于压延方向的剖面,粒径为5μm~10μm的第二相粒子为50个/mm2以下。
地址 日本东京都