纳米硅薄膜晶体管压力传感器

摘要

纳米硅薄膜晶体管压力传感器，属于传感器技术领域。它解决了现有压力传感器存在零点漂移的问题。它由第一纳米硅薄膜晶体管、第二纳米硅薄膜晶体管、第三纳米硅薄膜晶体管、第四纳米硅薄膜晶体管和单晶硅衬底组成，第一纳米硅薄膜晶体管的漏极连接电源VDD，第四纳米硅薄膜晶体管的源极接地GND；第二纳米硅薄膜晶体管的源极引出端作为第一输出电压端VOUT1，第一纳米硅薄膜晶体管的源极引出端作为第二输出电压端VOUT2；四个纳米硅薄膜晶体管均设置在单晶硅衬底上，单晶硅衬底的背面为C型硅杯结构，四个纳米硅薄膜晶体管沟道电阻构成惠斯通电桥结构。本发明用于压力检测。

主权项

一种纳米硅薄膜晶体管压力传感器，其特征在于：它由第一纳米硅薄膜晶体管(M1)、第二纳米硅薄膜晶体管(M2)、第三纳米硅薄膜晶体管(M3)、第四纳米硅薄膜晶体管(M4)和单晶硅衬底(1)组成，第一纳米硅薄膜晶体管(M1)的源极连接第四纳米硅薄膜晶体管(M4)的漏极，第一纳米硅薄膜晶体管(M1)的漏极连接第二纳米硅薄膜晶体管(M2)的漏极，第二纳米硅薄膜晶体管(M2)的源极连接第三纳米硅薄膜晶体管(M3)的漏极，第三纳米硅薄膜晶体管(M3)的源极连接第四纳米硅薄膜晶体管(M4)的源极；第一纳米硅薄膜晶体管(M1)的漏极连接电源VDD，第四纳米硅薄膜晶体管(M4)的源极接地GND；第二纳米硅薄膜晶体管(M2)的源极引出端作为第一输出电压端VOUT1，第一纳米硅薄膜晶体管(M1)的源极引出端作为第二输出电压端VOUT2；四个纳米硅薄膜晶体管均设置在单晶硅衬底(1)上，单晶硅衬底(1)的背面为C型硅杯结构，四个纳米硅薄膜晶体管沟道电阻构成惠斯通电桥结构。