| 发明名称 | 发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明获得可高效率取出光的发光元件及其制造方法。发光二极管(20)由Si基板(21)和通过外延生长形成在其上的半导体层形成。该半导体层由n型GaN层(n型半导体层)(22)和p型GaN层(p型半导体层)(23)构成。在该发光二极管(20)的侧面邻接形成有透光性绝缘层(30)。在该结构中，发光二极管(20)和透光性绝缘层(30)的上表面都由公共的透明电极(42)覆盖。在透明电极(42)中的透光性绝缘层(30)上的区域内形成有电极焊盘(43)。由于电极焊盘(43)不形成在发光二极管(20)上，因而光不会由电极焊盘(43)或者连接在电极焊盘(43)上的接合线或钎焊接合的配线等遮挡。 | ||
| 申请公布号 | CN102244173A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN201110108031.5 | 申请日期 | 2011.04.28 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 松尾哲二 |
| 分类号 | H01L33/36(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | 一种发光元件，其使用发光二极管，该发光二极管具有在内部设有发光层的半导体层形成在基板上的结构，该发光元件的特征在于，该发光元件具有：所述发光二极管；透光性绝缘层，其与所述发光二极管的侧面邻接而形成；透明电极，其覆盖所述发光二极管的上表面和所述透光性绝缘层的上表面，与所述发光二极管的一个极电连接；以及电极焊盘，其形成在所述透明电极上的位于所述透光性绝缘层的上面的区域内。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||