发明名称 |
用于防止焊盘区中的裂缝的半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种防止焊盘区上出现裂缝的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:下焊盘;上焊盘,形成在下焊盘的上方;绝缘层,形成在下焊盘和上焊盘之间;通路网,在绝缘层中用于将下焊盘和上焊盘电连接,该通路网具有网状,在该网状中单元格连接到与该单元格相邻的多个单元格以形成网结构;至少一个通路孔,在通路网的该单元格中用于将下焊盘和上焊盘电连接。 |
申请公布号 |
CN102244059A |
申请公布日期 |
2011.11.16 |
申请号 |
CN201010569690.4 |
申请日期 |
2010.11.30 |
申请人 |
美格纳半导体有限公司 |
发明人 |
郑钟烈 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
韩明星;王青芝 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:下焊盘;上焊盘,所述上焊盘形成在下焊盘的上方;绝缘层,所述绝缘层形成在下焊盘和上焊盘之间;通路网,所述通路网在绝缘层中用于将下焊盘和上焊盘电连接,所述通路网具有网状,在所述网状中单元格连接到与该单元格相邻的多个单元格以形成网结构;至少一个通路孔,在通路网的该单元格中用于将下焊盘和上焊盘电连接。 |
地址 |
韩国忠清北道清州市 |