一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本激光器包括刻蚀有键合区和光耦合区的SOI层；SOI层上设有一多区层，多区层从左到右依次为键合用聚合物、硅阻挡墙、空气隙、硅波导、空气隙、硅阻挡墙、键合用聚合物；多区层上设有n型III-V族材料层；n型III-V族材料层上与硅波导对应部位设有一多层结构，多层结构从下至上依次为第一SCH层、MQW层、第二SCH层、p型III-V族材料层、p型腐蚀阻挡层、p型欧盟接触层；在n型III-V族材料层上多层结构左右两侧分别有一n型III-V族材料的欧姆接触层。本激光器可作为硅基光源应用于单片硅基光电集成，易于制备、成本低。

主权项

一种选区聚合物键合硅基混合激光器，其特征在于包括刻蚀有键合区和光耦合区的SOI层；所述SOI层上设有一多区层，所述多区层从左到右依次为键合用聚合物、硅阻挡墙、空气隙、硅波导、空气隙、硅阻挡墙、键合用聚合物；所述多区层上设有n型III‑V族材料层；所述n型III‑V族材料层上与所述硅波导对应部位设有一多层结构，所述多层结构从下至上依次为第一SCH层、MQW层、第二SCH层、p型III‑V族材料层、p型腐蚀阻挡层、p型欧盟接触层；在所述n型III‑V族材料层上所述多层结构左右两侧间隔设定距离处分别有一n型III‑V族材料的欧姆接触层。