| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其目的在于防止在半导体器件的制造工序中，因清洗及干燥处理而对半导体器件造成恶劣影响。该半导体器件的制造方法，包括：准备工序，准备半导体晶片；元件形成工序，在所述半导体晶片上形成半导体功能元件；干燥工序，在该元件形成后的半导体晶片上实施利用异丙醇蒸汽的干燥处理；加热工序，对该干燥处理后的半导体晶片进行加热；以及清洗工序，对该加热处理后的所述半导体晶片实施利用发烟硝酸的RA清洗。 | ||
| 申请公布号 | CN101266918B | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200810006556.6 | 申请日期 | 2008.03.06 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 三木慎介 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 雒运朴;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：准备工序，准备半导体晶片；元件形成工序，在所述半导体晶片上形成半导体功能元件；干燥工序，在该元件形成后的半导体晶片上实施利用异丙醇蒸汽的干燥处理；加热工序，对该干燥处理后的半导体晶片进行加热；以及清洗工序，对该加热处理后的所述半导体晶片实施利用发烟硝酸的RA清洗。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||