| 发明名称 | 一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法。本发明采用(MeCp)Pt(Me)3蒸气和氧气作为反应前驱体，利用原子层淀积设备直接生长高密度铂纳米晶颗粒，其中，所述的反应前驱体(MeCp)Pt(Me)3蒸气和氧气是以脉冲方式交替通入反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹洗，如此进行若干次循环淀积；然后进行高温快速热退火处理，以改变纳米晶的形状、大小和密度。本发明以原子层淀积技术生长高密度铂纳米晶颗粒，工序简单，纳米颗粒大小可精确控制，可以获得横向平均直径为4～5nm，密度为1.2×1012cm-2的铂纳米晶颗粒。 | ||
| 申请公布号 | CN102243996A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN201110208419.2 | 申请日期 | 2011.07.25 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 丁士进;陈红兵;孙清清;张卫 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种高密度铂纳米晶的制备方法，其特征在于，具体步骤为：首先，采用(MeCp)Pt(Me)3蒸气和氧气作为反应前驱体，利用原子层淀积设备在衬底上淀积生长高密度铂纳米晶，其中，所述的反应前驱体(MeCp)Pt(Me)3蒸气和氧气是以脉冲方式交替通入原子层淀积设备反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹洗，如此进行若干次循环淀积；然后，对原子层淀积生长的高密度铂纳米晶，进行快速热退火处理，改变铂纳米晶的颗粒的形状、大小和密度，得到高密度铂纳米晶颗粒。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||