| 发明名称 | 曝光区域之间图形偏移量的检测方法及测试图形 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种曝光区域之间图形偏移量的检测方法及测试图形，能够快速和实时地对曝光区域之间图形偏移量进行检测，提高不良检出率与良率。包括：通过两次曝光和其他构图工艺得到至少一对具有特定位置关系的导电测试图形；对至少一对导电测试图形进行电学特性检测，若电学特性不符合所述特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量不合格；若电学特性符合所述特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量合格。本发明用于曝光区域之间图形偏移量的检测。 | ||
| 申请公布号 | CN102243443A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN201010175934.0 | 申请日期 | 2010.05.14 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 郭建;周伟峰;明星 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种曝光区域之间图形偏移量的检测方法，其特征在于，包括：通过两次曝光和其他构图工艺得到至少一对具有特定位置关系的导电测试图形；对至少一对导电测试图形进行电学特性检测，若电学特性不符合所述特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量不合格；若电学特性符合所述特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量合格。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||