发明名称 |
一种柔性热敏薄膜电阻阵列的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种柔性热敏薄膜电阻阵列的制作方法,属于微机电系统(MEMS)领域。该方法首先在硅片上沉积一层牺牲层;在其上旋涂PI预聚体,经热固化形成PI薄膜;然后旋涂光刻胶,光刻图形化后溅射所需的金属热敏薄膜层;采用剥离的方法得到热敏薄膜层图形;之后再旋涂光刻胶,光刻图形化后电镀形成电连接金属层;去胶后可以对热敏电阻进行热处理;最后沉积一层聚对二甲苯保护层,去除牺牲层后得到柔性薄膜电阻阵列。本发明工艺简单,热敏电阻的连接性更为可靠,导线电阻的干扰也较小,使得其作为传感器敏感元件时测量精度大为提高,且能够在保证感器敏感性的条件下,应用于潮湿、水下等环境。 |
申请公布号 |
CN101950644B |
申请公布日期 |
2011.11.16 |
申请号 |
CN201010277878.1 |
申请日期 |
2010.09.09 |
申请人 |
西北工业大学 |
发明人 |
姜澄宇;马炳和;傅博;董拴成 |
分类号 |
H01C7/02(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01C7/02(2006.01)I |
代理机构 |
西北工业大学专利中心 61204 |
代理人 |
吕湘连 |
主权项 |
一种柔性热敏薄膜电阻阵列的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一:清洗硅片,去除表面原生氧化层、有机物污染,然后干燥;步骤二:在硅片表面沉积一层牺牲层;步骤三:采用多次涂布的方法,旋涂PI预聚体,采用阶梯升温法热固化形成PI薄膜;步骤四:旋涂光刻胶,并对其进行光刻、显影,使热敏电阻阵列及其电连接部分的图形定义在光刻胶图形层;所述电连接部分包括导线和焊盘;步骤五:在光刻胶图形层上溅射所需的金属热敏薄膜层;步骤六:去除光刻胶图形层,同时剥离掉光刻胶图形层上附着的金属热敏薄膜,使需要的热敏薄膜层图形保留下来,然后干燥;步骤七:旋涂光刻胶,对其进行光刻、显影,使电连接层的图形定义在光刻胶图形层;步骤八:采用电镀的方法,沉积一层电连接层,由于光刻胶图形层的遮挡,只有电连接部分沉积出金属电连接层,热敏电阻部分被光刻胶图形层保护起来;步骤九:将光刻胶图形层去除,之后对热敏电阻进行热处理,消除薄膜沉积时产生的应力;步骤十:将焊盘部分保护后,放入聚对二甲苯(parylene)的沉积室,沉积一层聚对二甲苯保护层,沉积结束后裸露出焊盘;步骤十一:划片后用对应的牺牲层刻蚀液去除牺牲层,释放PI薄膜,得到柔性热敏薄膜电阻阵列。 |
地址 |
710072 陕西省西安市友谊西路127号 |