石墨烯纳米带的制备方法

摘要

本发明提供了一种石墨烯纳米带的制备方法，涉及半导体材料的制备领域。在该制备方法中，首先在半导体衬底上生成过渡金属薄膜层，在该过渡金属薄膜层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层并对其烘干后，藉由一预设有版图的光掩膜对所述光刻胶层曝光，之后显影、烘干，以便在所述光刻胶层上形成与所述版图相对应的图形。接着使碳离子经由所述图形注入至所述过渡金属薄膜层中后，去除所述光刻胶层并清洗所述过渡金属薄膜层表面。最后对所述过渡金属薄膜层进行退火处理，以使碳原子从所述过渡金属薄膜层中析出重构，即可制备出石墨烯纳米带。根据本发明的制备方法制备的石墨烯纳米带，形状和尺寸易控制，并且产率高。

主权项

一种石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在半导体衬底上生成过渡金属薄膜层；在所述过渡金属薄膜层上均匀涂覆光刻胶以形成光刻胶层，并将其烘干；藉由一预设有版图的光掩膜对所述光刻胶层曝光，之后显影、烘干，以便在所述光刻胶层上形成与所述版图相对应的图形；注入碳离子，以使所述碳离子经由所述图形注入至所述过渡金属薄膜层中；去除所述光刻胶层，并清洗所述过渡金属薄膜层的表面；以及对所述过渡金属薄膜层进行退火处理，使碳原子从所述过渡金属薄膜层中析出重构，以便在所述金属薄膜层表面制备出具有特定形状和尺寸的石墨烯纳米带。