| 发明名称 | 半导体存储元件 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101515599B | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200910007879.1 | 申请日期 | 2009.02.20 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 井野恒洋;安田直树;村冈浩一;藤木润;菊地祥子;有吉惠子 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/792(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种半导体存储元件，包括：在半导体衬底上形成的隧道绝缘膜；在所述隧道绝缘膜上形成的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜，Bevan簇结构包括萤石结构和在其阴离子位置的缺陷；在所述HfON电荷存储膜上形成的阻挡膜；和在所述阻挡膜上形成的栅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||