| 发明名称 | 具有增大的击穿电压特性的基于沟槽的功率半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有提供增大的击穿电压和其他益处的特征的示例性功率半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102246309A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200980149204.9 | 申请日期 | 2009.11.25 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 约瑟夫·A·叶季纳科;迪安·E·普罗布斯特;阿肖克·沙拉;丹尼尔·卡拉菲特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李丙林;张英 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：延伸到半导体区内的第一沟槽；内衬所述第一沟槽的相对侧壁的第一介电层，沿着所述相对侧壁中的一个的所述第一介电层比沿着另一个的更厚；布置在所述第一沟槽中的栅电极；以及延伸到所述半导体区内的多个沟槽，所述多个沟槽中的每一个具有衬有介电层的相对侧壁和布置在所述侧壁之间的栅电极，每个沟槽的所述介电层沿着面对所述栅电极的两个所述相对侧壁的部分具有相同的厚度。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||