发明名称 发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具
摘要 本发明公开了一种发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具,所述封装方法包括一配置牺牲层步骤、一同步配置晶粒步骤、一定义成型步骤、一蚀刻步骤。配置牺牲层步骤是在一基板上,配置一第一牺牲层。同步配置晶粒步骤是在第一牺牲层尚未固化前,同步配置发光二极管晶粒于第一牺牲层中。定义成型步骤是在固化的第一牺牲层上,以一第一材料、一第二牺牲层以及一第二材料形成一支撑基层。蚀刻步骤是移除第一牺牲层及第二牺牲层,以得到发光二极管晶粒模块,其中每一发光二极管晶粒模块包括对应的支撑基层。
申请公布号 CN102244164A 申请公布日期 2011.11.16
申请号 CN201110198197.0 申请日期 2011.07.15
申请人 财团法人成大研究发展基金会;柏光照明股份有限公司 发明人 洪瑞华;洪志欣;邵世丰;刘恒
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;鲍俊萍
主权项 一种发光二极管晶粒模块的封装方法,适于量产多个发光二极管晶粒模块,每一发光二极管晶粒模块包括至少一发光二极管晶粒,其特征在于,该封装方法包括:一配置牺牲层步骤:在一基板上,配置一第一牺牲层;一同步配置晶粒步骤:在该第一牺牲层尚未固化前,同步配置该些发光二极管晶粒于该第一牺牲层中;一定义成型步骤:在固化的该第一牺牲层上,以一第一材料、一第二牺牲层以及一第二材料形成一支撑基层,其中该第二牺牲层定义一模块图像,该支撑基层包括该第一材料及该第二材料;以及一蚀刻步骤:移除该第一牺牲层及该模块图像,以得到该些发光二极管晶粒模块,其中每一发光二极管晶粒模块包括对应的该支撑基层。
地址 中国台湾台南市