发明名称 |
一种易于填充的沟槽电容及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底,位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽,位于电容衬底的表面上的下电极,位于下电极的表面上的介质层,位于介质层的表面上的上电极,以及填充于沟槽处的填充材料,填充材料位于上电极的表面上。本发明电容具有沟槽的结构,不用借助特殊的沉积设备,填充效果满足对高可靠性器件的要求,可以应用于沟槽结构的所有需要完成填充的电容。 |
申请公布号 |
CN102244107A |
申请公布日期 |
2011.11.16 |
申请号 |
CN201110176559.6 |
申请日期 |
2011.06.28 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
王惠娟;万里兮;李宝霞;赵宁 |
分类号 |
H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/92(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
一种易于填充的沟槽电容,其特征在于,所述电容包括:电容衬底,位于所述电容衬底上的多个相互连通的沟槽,位于所述电容衬底的表面上的下电极,位于所述下电极的表面上的介质层,位于所述介质层的表面上的上电极,以及填充于沟槽处的填充材料,所述填充材料位于上电极的表面上。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |