发明名称 一种易于填充的沟槽电容及其制备方法
摘要 本发明涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底,位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽,位于电容衬底的表面上的下电极,位于下电极的表面上的介质层,位于介质层的表面上的上电极,以及填充于沟槽处的填充材料,填充材料位于上电极的表面上。本发明电容具有沟槽的结构,不用借助特殊的沉积设备,填充效果满足对高可靠性器件的要求,可以应用于沟槽结构的所有需要完成填充的电容。
申请公布号 CN102244107A 申请公布日期 2011.11.16
申请号 CN201110176559.6 申请日期 2011.06.28
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 王惠娟;万里兮;李宝霞;赵宁
分类号 H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L29/92(2006.01)I
代理机构 北京市德权律师事务所 11302 代理人 王建国
主权项 一种易于填充的沟槽电容,其特征在于,所述电容包括:电容衬底,位于所述电容衬底上的多个相互连通的沟槽,位于所述电容衬底的表面上的下电极,位于所述下电极的表面上的介质层,位于所述介质层的表面上的上电极,以及填充于沟槽处的填充材料,所述填充材料位于上电极的表面上。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所