基材蚀刻机构、真空处理装置及基材蚀刻方法

摘要

本发明提供基材蚀刻机构、真空处理装置及基材蚀刻方法。该基材蚀刻机构用于真空处理装置，该真空处理装置在真空室内放出电子并将所导入的气体离子化，对载置在设于真空室内的旋转台上的基材进行蚀刻而进行清洁净化，其中，该基材蚀刻机构具有：一对电力导入端子，其用于向作为电子源的丝极导入电力；多根丝极，其并联连接在一对电力导入端子之间。在该基材蚀刻机构中，多根丝极在与旋转台的旋转轴线正交的平面内沿与旋转轴线方向正交的方向配置。该真空处理装置使用上述蚀刻机构。该基材蚀刻方法使用上述基材蚀刻机构、真空处理装置。

主权项

一种基材蚀刻机构，其用于真空处理装置，该真空处理装置在真空室内放出电子而将导入到上述真空室内的气体离子化，对载置在设于上述真空室内的旋转台上的基材进行蚀刻而对基材进行清洁净化，其特征在于，该基材蚀刻机构具有：一对电力导入端子，其用于向作为电子源的丝极导入电力；多根丝极，其并联连接在上述一对电力导入端子之间。