| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光元件(1)，具备：基板(110)；含有发光层(150)并层叠于基板(110)上的叠层半导体层(100)；含有铟氧化物并层叠于叠层半导体层(100)上的透明电极(170)；含有作为阀作用金属的一种的钽，并且以与透明电极(170)接触的一侧为钽氮化物层或者钽氧化物层的方式层叠于透明电极(170)上的第1接合层(190)；层叠于第1接合层(190)上，用于与外部电连接的第1焊盘电极(200)。由此，使透明电极或者半导体层与连接电极的接合性以及电极的可靠性提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102246326A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200980150297.7 | 申请日期 | 2009.12.14 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 龟井宏二;大庭玲美;程田高史 |
| 分类号 | H01L33/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，包含：基板；含有发光层并层叠于所述基板上的叠层半导体层；含有铟氧化物并层叠于所述叠层半导体层上的透明电极；接合层，该接合层含有选自阀作用金属中的至少一种元素，并且以与所述透明电极接触的一侧含有该元素的氧化物或者氮化物的至少任一方的方式层叠于该透明电极上；以及层叠于所述接合层上，用于与外部电连接的连接电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||