半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括在一封盖(encapsulating)层上方形成一凸块下金属(under-bump??metallurgy，UBM)层，接着在封盖层的开口内的凸块下金属层上形成一凸块(bump)层。在从封盖层的上表面去除多余的凸块层材料之后，去除封盖层直至凸块层的一顶部突出于封盖层的上表面。本发明可避免UBM底切问题。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：在具有一金属垫区的一半导体基底上方形成一封盖层，其中该封盖层具有一开口露出一部分的该金属垫区；在该露出的金属垫区部分上方的该封盖层的该开口内形成一凸块下金属层；在该凸块下金属层上方形成一凸块层，以填入该封盖层的该开口且延伸至该封盖层的上表面；以及自该封盖层的该上表面去除该凸块层。