半导体发光装置

摘要

本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。

主权项

一种半导体发光装置，包括：(A)由层叠结构组成的发光部分，在该层叠结构中依次层叠具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，和(B)电流阻挡层，与该发光部分的侧面接触，其中该电流阻挡层由具有该第一导电类型的第三化合物半导体层和具有该第二导电类型且与该第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层组成，使该第一化合物半导体层具有该第一导电类型的杂质包括在该第一化合物半导体层中的置换位置处的杂质，该第一化合物半导体层中的该置换位置与该第二化合物半导体层中使该第二化合物半导体层具有该第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争，并且使该第三化合物半导体层具有该第一导电类型的杂质包括在该第三化合物半导体层中的置换位置处的杂质，该第三化合物半导体层中的该置换位置与该第四化合物半导体层中使该第四化合物半导体层具有该第二导电类型的杂质的置换位置相竞争；其中该第一化合物半导体层、该第二化合物半导体层、该第三化合物半导体层和该第四化合物半导体层由III‑V族化合物半导体组成。