玻璃和玻璃-陶瓷上锗结构

摘要

一种绝缘体上的半导体结构，该结构包括第一层和第二层，第一层和第二层可以直接相互接合，或通过一个或多个中间层接合。第一层包含基本为单晶的锗半导体材料；第二层包含玻璃或玻璃-陶瓷材料，该玻璃或玻璃-陶瓷材料在25-300℃的线性热膨胀系数在锗第一层的线性热膨胀系数的+/-20×10-7/℃范围之内。

主权项

一种绝缘体上半导体结构，该结构包括第一层和第二层，第一层和第二层可以直接相互接合，或通过一个或多个中间层接合，其中第一层包含基本为单晶的含锗半导体材料；第二层包含玻璃或玻璃‑陶瓷，该玻璃或玻璃‑陶瓷在25‑300℃的线性热膨胀系数在所述第一层的线性热膨胀系数的±20×10‑7/℃范围之内；所述玻璃具有包含以下组分之一的组成：(a)按照重量百分比并由氧化物基准的批料计算：15‑45％SiO2，7.5‑15％Al2O3，15‑45％MgO+CaO+SrO+BaO以及最多55％RE2O3，所述RE选自以下的稀土元素：Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，以及它们的混合物；(b)按照重量百分比并由氧化物基准的批料计算：45‑70％SiO2，2.5‑30％Al2O3，0‑8％B2O3，2.5‑30％MgO+CaO+SrO+BaO和1‑20％La2O3+Y2O3；(c)按照重量百分比并由氧化物基准的批料计算：55‑65％SiO2，10‑20％Al2O3和15‑30％MgO+CaO+SrO+BaO；或者(d)按照重量百分比并由氧化物基准的批料计算：30‑55％SiO2，18‑28％Al2O3，8‑20％ZnO，0‑6％ZnO，0‑6％MgO，0‑3％CaO，0‑3％SrO，0‑3％BaO，0‑3％K2O，0‑15％Rb2O+Cs2O，0‑10％TiO2和0‑10％ZrO2。