一种高纯氮化硅的回收方法

摘要

本发明涉及光伏或半导体领域中的一种氮化硅的回收方法，特别是一种高纯氮化硅的回收方法，回收得到的高纯氮化硅可以再次应用于多晶硅生产用坩埚涂层的制备或其他领域；采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其特征在于：将氮化硅原料经过化学溶液处理后得到高纯氮化硅；氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅50％-99.98％，二氧化硅、硅、金属等杂质0.02％-50％；不仅实现了高纯氮化硅的回收，还解决了固体废弃物的污染问题。

主权项

一种高纯氮化硅的回收方法，采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其特征在于：氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅99.95％，二氧化硅、硅、金属等杂质0.05％；其操作步骤为：将氮化硅涂层从废弃的石英坩埚上分离得到氮化硅原料；将氮化硅原料在超声波条件下进行重量比为1HF∶2HNO3的混合液处理，其中HF溶液的浓度为2.5mol/L，HNO3溶液的浓度为3mol/L，氮化硅原料与混合液按重量比1∶6混合，超声波的频率为40KHz，处理1小时后，用纯水将氮化硅冲洗至pH＝6‑7；干燥后得到高纯氮化硅。