| 摘要 |
<p>본 발명은 CIGS 태양 전지의 광흡수층 제조를 위한 셀렌화 방법에 관한 것이다. 상기 셀렌화 방법은, (a) 기판위에 구리 및 인듐을 순차적으로 진공 스퍼터링하는 단계; (b) 구리 및 인듐이 순차적으로 진공 스퍼터링된 기판위에 셀레늄을 증착하는 단계; (c) 구리, 인듐, 셀레늄이 순차적으로 형성된 기판을 상압의 챔버에서 아르곤 가스 분위기에서 급속 열처리(Rapid Temperature Process)하는 단계;를 구비하여, 상기 (c) 단계에서 챔버내에 일정량의 셀레늄을 배치하여, 급속 열처리하는 동안 셀레늄이 기화되어 챔버의 내부에 셀레늄 증기 분위기를 형성한다. 상기 구리 및 인듐이 진공 스퍼터링되는 양과 상기 셀레늄이 증착되는 양은 정확한 당량비에 따라 결정된다.</p> |
