发明名称 SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING SUBSTRATE FOR MEMS DEVICE WITH STRAIN GAGE
摘要 <p>MEMS 장치용 기판은 제 1 면을 갖는 기초 물질 및 그 기초 물질의 제 1 면 상에 형성된 폴리 실리콘 스트레인 게이지(poly silicon strain gage), 그 스트레인 게이지 위에 배치된 유전 물질 및 그 유전 물질을 통해 스트레인 게이지와 통하는 도전성 물질을 포함하되, 기판에는 그것을 관통하는 적어도 하나의 개구가 형성되고, 스트레인 게이지는 적어도 하나의 개구에 인접하여 형성된다.</p>
申请公布号 KR101083903(B1) 申请公布日期 2011.11.15
申请号 KR20040015821 申请日期 2004.03.09
申请人 发明人
分类号 B41J2/045;B41J2/055;B41J2/14;B41J2/16;B81B1/00;B81B7/02;G01L1/18;G01L1/22 主分类号 B41J2/045
代理机构 代理人
主权项
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