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发明名称 NON-VOLATILE MEMORY CELL AND ARRAY CIRCUIT
摘要 <p>두 개의 트랜지스터를 이용하여 비휘발성 메모리 셀로서 기능하도록 하는 회로 및 그 동작 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 셀은 단일 게이트 구조를 가지는 동일 MOS 타입의 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함한다. 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터는 공통 소스 노드에 연결되고, 문턱 전압의 차이에 기초하여 적어도 1비트의 데이터를 저장할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101083657(B1) 申请公布日期 2011.11.15
申请号 KR20090049665 申请日期 2009.06.04
申请人 发明人
分类号 G11C16/02;G11C16/10 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
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