| 摘要 |
본 발명은 선택적 도핑을 이용한 태양전지 제조방법 및 그 태양전지에 관한 것이다. 본 발명은 먼저 n형 실리콘 웨이퍼(100)에 대해 에칭(Saw damage etching) 및 텍스처링(Texturing) 공정을 수행한다. 그런 다음, 상기 n형 실리콘 웨이퍼(100)의 전면에 반사 방지막(104)을 형성하고, 전면전극(110)을 형성할 부분과 대응되는 위치에 있는 상기 반사 방지막(104)의 일부(A)를 제거한다. 상기 제거된 부분(A)을 통해 상기 n형 실리콘 웨이퍼(100)의 일부 표면에 대해서만 붕소 도핑을 수행하여 p형 반도체 영역(106)을 형성한다. 상기 p형 반도체 영역(106)은 실질적으로 후속공정에 의해 형성되는 상기 전면전극(110)의 하부에만 형성된다. 다음으로 상기 n형 실리콘 웨이퍼(100)의 후면 전면적에 인 도핑원소를 도핑하여 n형 반도체 영역(108)을 형성한다. 마지막으로 상기 n형 실리콘 웨이퍼(100) 전면 중 상기 반사 방지막(104)이 제거된 부분(A)에 전면전극(110)을 형성하고, 상기 n형 반도체 영역(108) 상에 후면전극(112)을 형성한다. 그와 같은 본 발명에 따르면, 정공의 이동경로가 짧아져서 재결합에 의한 광 손실을 줄일 수 있고, 단파장 영역의 빛 손실을 제거할 수 있어, 광전 변환효율이 향상되는 이점이 있다. |
