| 摘要 |
<p>본 발명은 비극성/반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하여 극성 질화물 반도체의 활성층에서 발생하는 압전현상(piezoelectric effect)을 제거하고, 사파이어 기판 위에 다공성(porous) 질화물 반도체층(예를 들어, GaN 층)을 형성한 후 그 위로 질화물 반도체층(예를 들어, InAlGaN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층)을 재성장시켜 GaN 층의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따라 비극성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어, SiC, 또는Si기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에서, 상기 기판 위에 질화물 반도체층을 형성하고 상기 질화물 반도체층을 다공성으로 표면 개질 한 후, 상기 표면 개질된 질화물 반도체층 위로 질화물 반도체층을 재성장한 상기 템플레이트층을 형성하고, 상기 템플레이트층 위에 상기 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다.</p> |
