发明名称 晶粒重新配置之封装结构中使用研磨之制造方法
摘要
申请公布号 TWI352411 申请公布日期 2011.11.11
申请号 TW096144229 申请日期 2007.11.22
申请人 南茂科技股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區研發一路1號;百慕達南茂科技股份有限公司 百慕達 发明人 彭美芳
分类号 H01L23/485;H01L21/56 主分类号 H01L23/485
代理机构 代理人 陈培道 新竹县竹东镇中兴路4段195号53馆219室;庄婷聿 新竹县竹东镇中兴路4段195号53馆219室
主权项 一种晶粒重新配置之封装方法,包括:提供一晶圆,具有一上表面及一背面,且该晶圆上配置有复数个晶粒及于该晶圆之该上表面配置有一第一高分子材料层;切割该晶圆,以形成该些晶粒,每一该晶粒之一主动面上配置有复数个焊垫且于每一该晶粒之一主动面上覆盖该第一高分子材料层;取放该些晶粒至一基板上,系将该些晶粒之一背面与一配置于该基板上的黏着层连接;形成一第二高分子材料层于该基板及该些晶粒之该主动面之该第一高分子材料层上;覆盖一模具装置至该第二高分子材料层上,以平坦化该第二高分子材料层,使该第二高分子材料层充满于该些晶粒之间并包覆每一该晶粒以形成一封装体;脱离该模具装置,以曝露出该封装体之一表面;薄化该封装体,以使每一该晶粒之该主动面上之该第一高分子材料层曝露;形成一图案化之第一高分子材料层以曝露出每一该晶粒之该主动面上之该些焊垫;脱离该基板,以曝露出每一该晶粒之一背面;形成一图案化之第三高分子材料层在每一该晶粒及部份该封装体之一表面上,且曝露出每一该晶粒之该主动面上之该些焊垫;形成复数个图案化之金属线段,每一该图案化之金属线段与每一该晶粒之该主动面之该些焊垫电性连接,且每一该图案化之金属线段具有向该晶粒之该主动面外侧延伸之一扇出结构系覆盖于该第三高分子材料层;形成一图案化之保护层,以覆盖该些图案化之金属线段,并曝露出该些图案化之金属线段之向该晶粒之该主动面之外侧延伸之该扇出结构之部份表面;形成复数个导电元件,系将该些导电元件电性连接至该些图案化之金属线段之已曝露之该扇出结构之部份表面;及切割该封装体,以形成复数个各自独立之完成封装之晶粒。
地址 百慕达
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