| 发明名称 |
提供用于非挥发性记忆体之区域升压控制之植入 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI352404 |
申请公布日期 |
2011.11.11 |
| 申请号 |
TW096135788 |
申请日期 |
2007.09.26 |
| 申请人 |
桑迪士克股份有限公司 美國 |
发明人 |
伊藤文敏 |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/265;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
黄章典 台北市松山区敦化北路201号7楼;楼颖智 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种用于减少一非挥发性储存系统中之程式化干扰之方法，其包含：沿一基板之一区域之一长度而于第一及第二间隔中植入一浅离子植入；在该第一间隔而非该第二间隔中植入一深离子植入，该深离子植入系比该浅离子植入更深地植入至该基板中；及至少部分地沿着该基板之该区域之该长度形成一NAND串，该NAND串之一第一部分直接形成于该第一间隔上，且该NAND串之一第二部分直接形成于该第二间隔上。 |
| 地址 |
美国 |
