| 发明名称 |
相变化记忆体的写入电路 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI352359 |
申请公布日期 |
2011.11.11 |
| 申请号 |
TW096121330 |
申请日期 |
2007.06.13 |
| 申请人 |
財團法人工業技術研究院 新竹縣竹東鎮中興路4段195號 |
发明人 |
江培嘉;许世玄;林烈萩 |
| 分类号 |
G11C8/18 |
主分类号 |
G11C8/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼 |
| 主权项 |
一种相变化记忆体的写入电路，包括：一驱动电流产生电路，用以提供一写入电流，包括：一电流产生单元；以及一输出开关，耦接该电流产生单元，其中当该电流产生单元输出该写入电流时，该输出开关延后一第一预定时间输出该写入电流；一第一开关装置，耦接该驱动电流产生电路；一第一记忆胞，耦接该第一开关装置；以及一第二开关装置，耦接该第一记忆胞与一地电位，当该驱动电流产生电路输出该写入电流至该第一记忆胞时，该第二开关装置在该第一开关装置导通后的一第二预定时间后导通。 |
| 地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
