在电浆处理系统中，使基板蚀刻最佳化之方法

主权项

一种在电浆处理系统中蚀刻基板之方法，该基板具有半导体层、配置于该半导体层上之第一阻隔层、配置于该第一阻隔层上之低k层、配置于该低k层上之第三硬遮罩层；配置于该第三硬遮罩层上之第二硬遮罩层，以及配置于该第二硬遮罩层上之第一硬遮罩层，该方法包括：以第一蚀刻剂与第二蚀刻剂交替地蚀刻该基板，其中该第一蚀刻剂对于第一硬遮罩层之第一硬遮罩材料、第三硬遮罩层之第三硬遮罩材料以及第一阻隔层之第一阻隔层材料具有低度选择性，但对于该第二硬遮罩层之第二硬遮罩材料具有高度选择性，其中该第二蚀刻剂对于该第一硬遮罩层之第一硬遮罩材料、该第三硬遮罩层之第三硬遮罩材料以及该第一阻隔层之第一阻隔层材料具有高度选择性，且该第二蚀刻剂对于该第二硬遮罩层之第二硬遮罩材料具有低度选择性，以及其中该交替地蚀刻系包括以该第二蚀刻剂部分地蚀穿该低k层和该第一阻隔层。