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经营范围
发明名称
具整合抗平行接面位障萧特基(SCHOTTKY)自由回转二极体之碳化矽金属氧化物半导体场效应电晶体及其制法
摘要
申请公布号
TWI352421
申请公布日期
2011.11.11
申请号
TW093103780
申请日期
2004.02.17
申请人
克立公司 美國
发明人
佑 赛扬
分类号
H01L27/095
主分类号
H01L27/095
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
一种碳化矽半导体元件,其包含;碳化矽DMOSFET;及整合的碳化矽萧特基二极体,其开启电压配置为低于该DMOSFET的内建本体二极体之开启电压。
地址
美国
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