发明名称 具整合抗平行接面位障萧特基(SCHOTTKY)自由回转二极体之碳化矽金属氧化物半导体场效应电晶体及其制法
摘要
申请公布号 TWI352421 申请公布日期 2011.11.11
申请号 TW093103780 申请日期 2004.02.17
申请人 克立公司 美國 发明人 佑 赛扬
分类号 H01L27/095 主分类号 H01L27/095
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种碳化矽半导体元件,其包含;碳化矽DMOSFET;及整合的碳化矽萧特基二极体,其开启电压配置为低于该DMOSFET的内建本体二极体之开启电压。
地址 美国