发明名称 储存元件以及记忆体
摘要
申请公布号 TWI352352 申请公布日期 2011.11.11
申请号 TW096136897 申请日期 2007.10.02
申请人 新力股份有限公司 日本 发明人 五十岚实
分类号 G11C11/14;G11C11/16 主分类号 G11C11/14
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种储存元件,其包含:一储存层,其系基于一磁性材料之一磁性状态储存资讯;及一固定磁化层,其一磁化方向系固定,且该固定磁化层系被提供以用于该储存层,在该固定磁化层与该储存层之间具有一非磁性层,其中资讯系藉由在一堆叠方向中施加一电流以改变该储存层之磁化方向而记录在该储存层中,该固定磁化层包括复数个强磁性层,在其间系堆叠有非磁性层,及该固定磁化层包括复数个磁化区,该等磁化区具有在该堆叠方向中之磁化成分及在分别相反方向中之磁化,该等磁化区系形成在该复数个强磁性层中布置于最靠近该储存层之至少一强磁性层的两端处。
地址 日本