发明名称 具备输入功能或输出入功能之半导体积体电路
摘要
申请公布号 TWI352505 申请公布日期 2011.11.11
申请号 TW096142636 申请日期 2007.11.12
申请人 三洋電機股份有限公司 日本;三洋半導體股份有限公司 日本 发明人 高桥秀一
分类号 H03K19/0175;H03K19/094 主分类号 H03K19/0175
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 一种具备输入功能或输出入功能之半导体积体电路,系具备有:高电压施加端子,系接受电源电压以上的正高电压之施加;转移闸极,系由具有输入端连接至前述高电压施加端子、闸极施加有电源电压、且能承受前述高电压的高耐压N通道型MOS电晶体所构成;输入缓冲器,系包含有闸极连接至前述转移闸极的输出端之MOS电晶体;以及升压元件,系连接至前述转移闸极的输出端,并将输出端偏压至电源电压,且前述升压元件的电阻值>>前述转移闸极的电阻值。
地址 日本