发明名称 |
具备输入功能或输出入功能之半导体积体电路 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI352505 |
申请公布日期 |
2011.11.11 |
申请号 |
TW096142636 |
申请日期 |
2007.11.12 |
申请人 |
三洋電機股份有限公司 日本;三洋半導體股份有限公司 日本 |
发明人 |
高桥秀一 |
分类号 |
H03K19/0175;H03K19/094 |
主分类号 |
H03K19/0175 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
主权项 |
一种具备输入功能或输出入功能之半导体积体电路,系具备有:高电压施加端子,系接受电源电压以上的正高电压之施加;转移闸极,系由具有输入端连接至前述高电压施加端子、闸极施加有电源电压、且能承受前述高电压的高耐压N通道型MOS电晶体所构成;输入缓冲器,系包含有闸极连接至前述转移闸极的输出端之MOS电晶体;以及升压元件,系连接至前述转移闸极的输出端,并将输出端偏压至电源电压,且前述升压元件的电阻值>>前述转移闸极的电阻值。 |
地址 |
日本 |