发明名称 混合式快闪记忆体元件以及其指定保留区块的方法
摘要
申请公布号 TWI352353 申请公布日期 2011.11.11
申请号 TW096140042 申请日期 2007.10.25
申请人 三星電子股份有限公司 南韓 发明人 金善择;李丙国
分类号 G11C16/22;G11C8/12 主分类号 G11C16/22
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种混合式快闪记忆体元件,包括:包括第一区域和第二区域的阵列,所述第二区域的每个胞所储存的位元的数量大于所述第一区域中的每个胞所储存的位元的数量;隐藏区域,所述隐藏区域包括第一保留区块区域和第二保留区块区域,其中所述第一保留区块区域包括多个第一记忆体区块,所述第一记忆体区块的每个胞所储存的位元元数量与所述第一区域中的每个胞所储存的位元的数量相同,所述第二保留区块区域包括多个第二记忆体区块,所述第二记忆体区块的每个胞所储存的位元的数量与所述第二区域中的每个胞所储存的位元的数量相同;以及快闪转换层,所述快闪转换层被配置为用所述第一记忆体区块来替代在所述第一区域中所生成的坏区块以及用所述第二记忆体区块来替代在所述第二区域中所生成的坏区块,其中,所述快闪转换层根据所述第一记忆体区块或者所述第二记忆体区块是否被全部使用而弹性地指定所述第一和第二记忆体区块的功能。
地址 南韩