| 主权项 |
一种半导体薄膜之结晶化方法，其特征在于：其包含：步骤(a)，使点状能量射束对半导体薄膜在扫描方向上一面以特定速度扫描一面连续照射，藉此形成第1结晶化区域；及步骤(b)，使该能量射束于与该扫描方向垂直之方向上平移特定间距，并重复步骤(a)，藉此形成与该第1结晶化区域相邻之第2结晶化区域；其中，以该能量射束将上述半导体薄膜完全熔融，并设定该能量射束之照射条件，俾上述能量射束之扫描中心处之前述半导体薄膜伴随该能量射束之扫描而最后结晶化；对上述第1与第2结晶化区域之各者，于上述扫描中心沿着上述扫描方向设置一连串晶界，且于相邻晶界之间排列朝与上述能量射束之扫描方向相反之方向凸出之半新月形结晶粒；设定上述间距，俾于步骤(b)中使前述第1结晶化区域之半新月状结晶粒与前述第2结晶化区域之半新月状结晶粒会合，俾于前述第1与第2结晶化区域之晶界间形成新月形结晶粒。 |
