发明名称 发光装置、发光装置之制造方法及电子机器
摘要
申请公布号 TWI352426 申请公布日期 2011.11.11
申请号 TW095135564 申请日期 2006.09.26
申请人 精工愛普生股份有限公司 日本 发明人 宫田崇;江口司;岩下贵弘
分类号 H01L27/32;H05B33/24;H01L51/50 主分类号 H01L27/32
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种发光装置,于基板上,包含光反射层、和半透过反射层、和配置于前述光反射层与前述半透过反射层之间的发光层、和配置于前述半透过反射层与间之光透过性之画素电极;具备对应于前述半透过反射层与前述半透过反射层间之光学距离的共振波长之光被选择性增幅之复数之单位元件;前述复数之单位元件之画素电极乃各别由与前述发光层重叠配置之电极部、和藉由连接孔,与配线连接之连接部所构成,于前述复数之单位元件,包含对应于与前述发光层接触之部分之画素电极之厚度之不同,共振波长互为不同之第1单位元件与第2单位元件而成之发光装置,其特征乃前述第1单位元件之前述画素电极乃包含具有对应于前述电极部及前述连接部之导电膜,使对应于前述连接部之导电膜,与露出于前述连接孔内之前述配线接触的第1电极层、和具有对应于前述电极部及前述连接部之导电膜,层积于前述第1电极层上之第2电极层;前述第2单位元件之前述画素电极乃包含具有仅对应于前述连接部之导电膜,使导电膜,与露出于前述连接孔内之前述配线接触的第1电极层、和具有对应于前述电极部及前述连接部之导电膜,层积于前述第1电极层上之第2电极层。
地址 日本