| 发明名称 |
包含光吸收层之低温电浆沉积步骤与快速光学退火步骤的半导体接面形成方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI352381 |
申请公布日期 |
2011.11.11 |
| 申请号 |
TW095117366 |
申请日期 |
2006.05.16 |
| 申请人 |
應用材料股份有限公司 美國 |
发明人 |
拉马斯瓦米卡提克;塙广二;加洛比亚久;柯林肯尼Ｓ;马凯;巴瑞哈尔维杰;杰宁斯狄恩;梅尤亚伯赫拉希Ｊ;阿巴雅提亚弥尔;盖叶安卓 |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/324;H01L21/02 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种于一工作件之半导体材料中形成半导体接面的方法，其至少包含以下步骤：离子布植掺杂不纯物于该半导体材料选定之区域中；将一光吸收材料先驱物气体引入一含有该工作件之处理室中；藉由施加射频电源的方式于一再进入路径(reentrant path)中形成一射频振荡环形电浆流，以沈积一光吸收材料层于该工作件上，其中该再进入路径包括该工作件上方之一制程区；光学地退火该工作件，以活化该半导体材料中的掺杂不纯物；藉由于沈积该光吸收材料期间将一吸收强化物种先驱物气体加入该光吸收材料先驱物气体，以将一吸收强化物种含纳在该光吸收材料中；以及随时间改变该处理室中之该吸收强化物种先驱物气体之比例，以随该光吸收材料之深度改变吸收特性。 |
| 地址 |
美国 |
