Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements

摘要

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren folgendes umfasst: Ausbilden einer amorphen Schicht (105) über einem Substrat (101); Ausbilden einer Stressorschicht (120) mit einer ersten Verspannung über der amorphen Schicht (105); Relaxieren der ersten Verspannung in einem Abschnitt der Stressorschicht (120) auf eine zweite Verspannung; Rekristallisieren der amorphen Schicht (105), während die Stressorschicht (120) über der amorphen Schicht (105) angeordnet ist, wodurch eine rekristallisierte Schicht (101A) ausgebildet wird; und Ausbilden eines Gatestapels (220, 222) über der rekristallisierten Schicht (101A).