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发明名称 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY
摘要 <p>본 발명은, 연마재; 산화제; 착물 형성제; 테트라메틸암모늄 이온계 이온첨가제; 부식억제제; pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 CMP 슬러리에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명의 CMP 슬러리는 테트라메틸암모늄 이온계 이온첨가제를 포함하여, 배선층의 에로전 등의 발생을 최소화할 수 있는 CMP 슬러리에 관한 것이다.</p>
申请公布号 KR101082031(B1) 申请公布日期 2011.11.10
申请号 KR20080080917 申请日期 2008.08.19
申请人 发明人
分类号 C09K3/14 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人
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