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Halbleitervorrichtung mit: – einem Substrat (1, 1a, 2a, 2b, 3a, 4a, 5, 6, 8, 10, 11, T1, T2) mit einer ersten und einer zweiten Seite; – einem n-Kanal-IGBT (100i, 104i, 105i), der in dem Substrat (1, 1a, 2a, 2b, 3a, 4a, 5, 6, 8, 10, 11, T1, T2) angeordnet ist; und – einer Diode (100d, 104d, 105d), die in dem Substrat (1, 1a, 2a, 2b, 3a, 4a, 5, 6, 8, 10, 11, T1, T2) angeordnet ist, wobei – das Substrat (1, 1a, 2a, 2b, 3a, 4a, 5, 6, 8, 10, 11, T1, T2) eine erste Schicht (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Schicht (2a) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einen Bereich (3a) des ersten Leitfähigkeitstyps auf der ersten Seite, einen Bereich (6) des ersten Leitfähigkeitstyps auf der zweiten Seite und einen Bereich (5) des zweiten Leitfähigkeitstyps auf der zweiten Seite aufweist, – die zweite Schicht (2a) auf...
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