Verfahren zum Herstellen einer p-leitenden Schicht für ein Halbleiterbauelement, Verfahren zum Überführen einer p-leitenden Nanodrahtschicht und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes

摘要

Verfahren zum Herstellen einer p-leitenden Schicht für ein Halbleiterbauelement, bei dem auf eine Keimschicht aus ZnO eine Nanodrahtschicht (12, 13) aus Zinkoxid (ZnO) mittels Aufwachsen aus einer Lösung bei einer erhöhten Temperatur erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die erhöhte Temperatur beim Aufwachsen zum Erzeugen einer p-leitenden Nanodrahtschicht (12) aus Zinkoxid (ZnO) über 100°C beträgt.