摘要 |
Vorrichtung zum Beschichten von Substraten, insbesondere Halbleitersubstraten, mit einem CVD-Reaktor (1), der einen Substrathalterträger (18) aufweist, der eine Vielzahl von Substrathaltern (4) trägt, wobei auf jedem Substrathalter (4) ein oder mehrere zu beschichtende Substrate (5) aufliegen, mit einer Transferkammer (2), die mit dem Reaktor (1) derart verbunden ist, dass mittels eines Beladeorganes (17) der Substrathalterträger (18) mit Substrathaltern (4) beladen bzw. entladen werden kann und mit einer Bevorratungseinrichtung, die mit der Transferkammer (2) derart verbunden ist, dass in einer Bevorratungskammer (3) der Bevorratungseintrichtung bevorratete Substrathalter (4) mittels des Beladeorganes (17) in den Reaktor (1) bringbar bzw. aus dem Reaktor (1) gebrachte Substrathalter (4) dort ablegbar sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrathalter (4) horizontal nebeneinanderliegend in der Bevorratungskammer auf einer Magazinplatte (6) angeordnet sind.
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