Chip mit einem Bauelement in einem schrägen Bereich mit einer verringerten Stressabhängigkeit

摘要

Chip (11), mit folgenden Merkmalen: einem Silizium-Substrat, das eine Substratoberfläche (13) und einen schrägen Bereich (15) in der Substratoberfläche (13) hat, wobei der schräge Bereich (15) eine Bereichsoberfläche hat, die die Substratoberfläche (13) schneidet, wobei das Silizium-Substrat bezüglich der Substratoberfläche und der Bereichsoberfläche so ausgebildet ist, dass eine erste Stressabhängigkeit eines Verhaltens eines Vergleichsbauelements, das in der Substratoberfläche (13) integrierbar ist, größer ist als eine Stressabhängigkeit des Verhaltens eines dem Vergleichsbauelement entsprechenden Bauelements, das in dem schrägen Bereich (13) integriert ist, wobei das Bauelement wenigstens eine dotierte Zone (17) in dem schrägen Bereich (15) und einer Kontaktierungsstruktur (19, 21) zum Kontaktieren der dotierten Zone (17) aufweist, wobei die Dotierung der dotierten Zone so ausgeführt ist, dass sie größer ist als eine Grunddotierung des Silizium-Substrats oder eine Dotierung mit einem anderen Dotierungstyp als das Silizium-Substrat hat, und wobei das Bauelement aufweist: einen L-förmigen Widerstand mit zwei in Serie...