摘要 |
<p>Eine Leistungsumwandlungsschaltung (10) enthält eine hochseitige Schaltvorrichtung (SW1), deren Kollektor mit der Hochpotentialseite einer Leistungsversorgung (V1) verbunden ist, eine niederseitige Schaltvorrichtung (SW2), deren Emitter mit der Niederpotentialseite der Leistungsversorgung (V1) verbunden ist, einen ersten Knoten (P1), mit dem der Emitter der hochseitigen Schaltvorrichtung (SW1) und der Kollektor der niederseitigen Schaltvorrichtung (SW2) verbunden sind, eine erste Diode (D1), deren Kathode mit dem Kollektor der hochseitigen Schaltvorrichtung (SW1) verbunden ist, eine zweite Diode (D2), deren Anode mit dem Emitter der niederseitigen Schaltvorrichtung (SW2) verbunden ist, einen zweiten Knoten (P2), mit dem die Anode der ersten Diode (D1) und die Kathode der zweiten Diode (D2) verbunden sind, eine Induktivität (L1), die zwischen den ersten Knoten (P1) und den zweiten Knoten (P2) geschaltet ist, und eine Snubber-Schaltung (12), die mit dem ersten Knoten (P1) verbunden und daran angepasst ist, eine in der Induktivität (L1) gespeicherte Energie zu absorbieren, wenn ein Freilaufstrom fließt.</p> |