| 摘要 |
Für ein Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Schaltungsanordnung in Form einer Schichtenfolge von wenigstens einer Isolierschicht und wenigstens einer Leiterschicht, typischerweise mehreren Isolierschichten (N1, N2, N3, NF) und mehreren strukturierten Leiterschichten (L1, L2) wird auf einem starren Substrat die Schichtenfolge für die flexible Schaltungsanordnung so abgeschieden, dass die Haftung der Schichtenfolge gegenüber dem Substrat in einem inneren Bereich, in welchem wenigstens eine, vorzugsweise mehrere flexible Schaltungsanordnungen erzeugt werden, geringer ist als in einem den inneren Bereich (ZB) umgebenden Randbereich (RB). Vorteilhafterweise kann hierfür in dem Randbereich eine Zwischenschicht abgeschieden werden, welche eine stärkere Haftung der Schichtenfolge über dem Randbereich gegenüber dem nicht mit einer Zwischenschicht versehenen inneren Bereich bewirkt. |
