发明名称 Composition for removing photoresist and method of forming a pattern using the composition
摘要 <p>포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에서, 알카놀 아민계 화합물, 모르폴린계 화합물, 글리콜계 화합물 및 여분의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 조성물을 포토레지스트막에 적용하여 제거한다. 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물은 레지스트에 대한 박리성능이 우수하고 알루미늄과 같은 금속배선에 대한 부식 영향성이 현저히 감소된 특성을 나타내므로 공정시간 단축 및 생산성 향상에 기여한다.</p>
申请公布号 KR101082011(B1) 申请公布日期 2011.11.10
申请号 KR20090009091 申请日期 2009.02.05
申请人 发明人
分类号 G03F7/42 主分类号 G03F7/42
代理机构 代理人
主权项
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